Усачев Николай Александрович
Руководитель дизайн-центра
Выпускник кафедры Электроники Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ» (2010 г.). В 2015 году защитил кандидатскую диссертацию по специальности «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления». Работает в АО «ЭНПО СПЭЛС» и НИЯУ МИФИ с 2010 года. Область научных интересов радиационная стойкость, проектирование и экспериментальные исследования СВЧ приемопередающих СБИС, выполненных по КМОП/КМОП КНИ, SiGe БиКМОП технологиям, СВЧ усилителей, переключателей сигналов, аттенюаторов и преобразователей частоты, выполненных по GaAs pHEMT, GaAs HBT и GaN HEMT технологиям.
Выступления:
Рынок применения космической инфраструктуры программы «СФЕРА» Рынки НТИ «Автонет»: Подключенные и высокоавтоматизированные транспортные средства, «Зеленый» транспорт
«Создание высокоинтегрированной ЭКБ в режиме «foundry» для радиочастотной РЭА ответственного применения: текущее состояние, проблемные вопросы и тенденции развития»
Рассмотрены состояние и тенденции развития электронной компонентной базы (ЭКБ) класса «система на кристалле» (СнК) и «система в корпусе» (СвК) с рабочими частотами до 100 ГГц, предназначенной для применения в составе телекоммуникационного оборудования (в т.ч. нового поколения), радарах беспилотного транспорта, оборудования для цифровой радиочастотной маркировки и идентификации, навигации. Показано, что современная ЭКБ твердотельной СВЧ электроники класса СнК и СвК представляет собой приемопередающие СБИС, сочетающие радиочастотные тракты приемника и передатчика, синтезатора частоты, цифровой обработки сигналов и управления, микропроцессорного ядра и памяти. Основными тенденциями развития ЭКБ ТСВЧЭ являются: снижение проектных норм до уровня 40…28 нм, применение всего спектра технологий на основе кремния, кремний-германия, арсенида и нитрида галлия, трансформация архитектуры приемопередатчика от традиционной супергетеродинной в сторону программно-определяемой.
Проведен анализ достижений отечественных дизайн-центров (ДЦ), проблемных вопросов контрактного производства Номенклатура разрабатываемых отечественными дизайн-центрами изделий представлена приемопередающими БИС с частотами до 5 ГГц, синтезаторами частоты до 12 ГГц, изготовленными на основе технологий КМОП / КМОП КНИ уровня 250…40 нм и SiGe БиКМОП уровня 420…130 нм; широким рядом СВЧ МИС усилителей, генераторов, преобразователей, устройств управления с частотами до 50 ГГц и более, изготовленных на основе преимущественно GaAs pHEMT и GaN HEMT ТП. Создание современных приемопередающих СБИС класса СнК и СвК невозможно без повторного применения функциональных (IP)-блоков. Между тем, в настоящее время только два отечественных предприятия, располагающие технологическими процессами, пригодными для производства ТСВЧЭ ЭКБ, оказывают услуги контрактного производства в режиме «foundry»: «Микрон»: КМОП КНИ 250, 180 нм, КМОП 180 нм (90 нм в стадии подготовки), «Светлана-Рост»: GaAs pHEMT 0,5 мкм (0,25 мкм в стадии подготовки).
Предложена научно-методическая платформа проблемно-ориентированного проектирования и распределенный центр компетенций и услуг потребителям, производителям и разработчикам электроники, обеспечивающий загрузку отечественных полупроводниковых фабрик заказами десятков дизайн-центров, сокращение сроков и стоимости разработки конкурентоспособной ЭКБ и радиоэлектронной аппаратуры телекоммуникационного оборудования, радаров беспилотного транспорта, цифровой радиочастотной маркировки и идентификации, систем навигации.
Проведен анализ достижений отечественных дизайн-центров (ДЦ), проблемных вопросов контрактного производства Номенклатура разрабатываемых отечественными дизайн-центрами изделий представлена приемопередающими БИС с частотами до 5 ГГц, синтезаторами частоты до 12 ГГц, изготовленными на основе технологий КМОП / КМОП КНИ уровня 250…40 нм и SiGe БиКМОП уровня 420…130 нм; широким рядом СВЧ МИС усилителей, генераторов, преобразователей, устройств управления с частотами до 50 ГГц и более, изготовленных на основе преимущественно GaAs pHEMT и GaN HEMT ТП. Создание современных приемопередающих СБИС класса СнК и СвК невозможно без повторного применения функциональных (IP)-блоков. Между тем, в настоящее время только два отечественных предприятия, располагающие технологическими процессами, пригодными для производства ТСВЧЭ ЭКБ, оказывают услуги контрактного производства в режиме «foundry»: «Микрон»: КМОП КНИ 250, 180 нм, КМОП 180 нм (90 нм в стадии подготовки), «Светлана-Рост»: GaAs pHEMT 0,5 мкм (0,25 мкм в стадии подготовки).
Предложена научно-методическая платформа проблемно-ориентированного проектирования и распределенный центр компетенций и услуг потребителям, производителям и разработчикам электроники, обеспечивающий загрузку отечественных полупроводниковых фабрик заказами десятков дизайн-центров, сокращение сроков и стоимости разработки конкурентоспособной ЭКБ и радиоэлектронной аппаратуры телекоммуникационного оборудования, радаров беспилотного транспорта, цифровой радиочастотной маркировки и идентификации, систем навигации.